Memory properties of Ge quantum dots and rings MOS structure prepared by pulsed laser deposition

نویسندگان

چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Memory Properties of Ge quantum dots and rings MOS structure prepared by Pulsed Laser Deposition

New memory structures using threshold shifting from charge stored in quantum dots (QDs) and quantum rings (QRs) of Germanium (Ge) are described. The QDs and QRs of Ge were prepared on a p-Si (100) matrix by means of pulsed laser deposition (PLD) using the droplet technique combined with rapid annealing. The perfect planar nanorings with welldefined sharp inner and outer edges were formed via an...

متن کامل

Growth of Ge Quantum Dots on Si(100)-(2×1) by Pulsed Laser Deposition

This Article is brought to you for free and open access by the Electrical & Computer Engineering at ODU Digital Commons. It has been accepted for inclusion in Electrical & Computer Engineering Faculty Publications by an authorized administrator of ODU Digital Commons. For more information, please contact [email protected]. Repository Citation Hegazy, M. S. and Elsayed-Ali, H. E., "Growth o...

متن کامل

Structure and mechanical properties of low stress tetrahedral amorphous carbon films prepared by pulsed laser deposition

Tetrahedral amorphous carbon films have been produced by pulsed laser deposition, at a wavelength of 248 nm, ablating highly oriented pyrolytic graphite at room temperature, in a 10−2 Pa vacuum, at fluences ranging between 0.5 and 35 Jcm−2. Both (100) Si wafers and wafers covered with a SiC polycrystalline interlayer were used as substrates. Film structure was investigated by Raman spectroscopy...

متن کامل

control of the optical properties of nanoparticles by laser fields

در این پایان نامه، درهمتنیدگی بین یک سیستم نقطه کوانتومی دوگانه(مولکول نقطه کوانتومی) و میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. از آنتروپی ون نیومن به عنوان ابزاری برای بررسی درهمتنیدگی بین اتم و میدان استفاده شده و تاثیر پارامترهای مختلف، نظیر تونل زنی(که توسط تغییر ولتاژ ایجاد می شود)، شدت میدان و نسبت دو گسیل خودبخودی بر رفتار درجه درهمتنیدگی سیستم بررسی شده اشت.با تغییر هر یک از این پارامترها، در...

15 صفحه اول

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Journal of Physics: Conference Series

سال: 2009

ISSN: 1742-6596

DOI: 10.1088/1742-6596/152/1/012020